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Matching mosfet in push pull

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Matching mosfet in push pull

Messaggio  HistoireDuSoldat il Gio 10 Giu 2010 - 11:19

Sto per costruire >> questo finalino cuffie <<. Ho un po' di coppie di questi due mosfet, e ho il sospetto che il matching da fare non è solo:

N canale destro <=> N canale sinistro
P canale destro <=> P canale sinistro

ma anche tra N e P dello stesso canale.
Come devo procedere? Non ho nessuna esperienza con i mosfet, devo solo mettere su i circuitini di matching dei canali N e P indipendentemente, come si vede ad esempio >> su un articolo di Pass << ma cercando di matchare anche N e P? O non è necessario?

Grazie mille.

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Re: Matching mosfet in push pull

Messaggio  madqwerty il Gio 10 Giu 2010 - 13:39

assolutamente SI, in una configurazione "push-pull" i due dispositivi attivi si trovano a gestire il segnale audio 50% uno e 50% l'altro (parte negativa e parte positiva) devi quindi matchare N e P in modo che le due parti vengano trattate in modo quanto più possibile identico, altrimenti la distorsione sale..

come farlo nella pratica non so dirti di preciso Embarassed cosa ti posso consigliare caldamente, è di dotarti di una schedina audio con line-in decente (30euro) e di un software freeware tipo VisualAnalyser (oscilloscopio e analizzatore di spettro) con questa coppia riesci già a fare delle valutazioni sulla distorsione prodotta dal circuito, e a scegliere (con quali criteri pregressi non so dirti Embarassed) i componenti che producono meno distorsione... Cool

p.s. però in quel finalino non vedo configurazioni push-pull, i MosFet dovrebbero essere tutti dello stesso tipo (quindi N se non erro)

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Re: Matching mosfet in push pull

Messaggio  HistoireDuSoldat il Gio 10 Giu 2010 - 14:10

@madqwerty ha scritto:assolutamente SI, in una configurazione "push-pull" i due dispositivi attivi si trovano a gestire il segnale audio 50% uno e 50% l'altro (parte negativa e parte positiva) devi quindi matchare N e P in modo che le due parti vengano trattate in modo quanto più possibile identico, altrimenti la distorsione sale..

ok grazie

@madqwerty ha scritto:
p.s. però in quel finalino non vedo configurazioni push-pull, i MosFet dovrebbero essere tutti dello stesso tipo (quindi N se non erro)

No, ho capito cosa è successo, il link porta alla pagina della sezione linea di un pre a jfet che costituisce il "piatto principale" del progetto, il finalino cuffie si vede cliccando in basso su "Finale cuffie".
E' in ogni caso il seguente:

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Re: Matching mosfet in push pull

Messaggio  HistoireDuSoldat il Ven 11 Giu 2010 - 12:34

Da bravo bambino, con la strumentazione in mio possesso (alimentatore da banco, tester da poche lire) ho provato a mettere su i circuitini di misura per Vds, sia per il canale N che per il canale P:

Per il canale N:
Vcc --- 100Ω3W --- (Drain)
(Drain) --- (Gate)
(Source) --- Gnd

Per il canale P:
Vcc --- 100Ω3W --- (Source)
(Drain) --- (Gate)
(Drain) --- Gnd

Alimentando con 18V (metà della Vcc effettiva => assorbimento intorno a 130-140mA, un po' sopra al valore atteso di circa 100mA) ho osservato:
- Canali N (IRFD110): Vds ~ 3,87V
- Canali P (IRFD9110): Vds ~ 4,21V
Con gli strumenti che ho non riesco ad apprezzare differenze all'interno dei lotti di (12 per tipo) mosfet che ho.
Però la differenza tra P e N? In teoria mi aspetto che 110 e 9110 siano corrispondenti, e i datasheet sembrano confermarlo...

La configurazione del circuito è un push pull trasformerless (mi pare di aver capito), l'impedenza totale devo considerarla tra drain (N) e drain (P) quindi è scorretto valutare i mosfet singolarmente e non a coppie...?

La mia attuale posizione è che vanno bene un po' tutti quanti i mosfet che ho quindi prendo a caso due N e due P e vado a saldare...

Qualcuno gentilmente può darmi qualche dritta?
Grazie!

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Re: Matching mosfet in push pull

Messaggio  madqwerty il Ven 11 Giu 2010 - 16:56

@HistoireDuSoldat ha scritto:
Alimentando con 18V (metà della Vcc effettiva => assorbimento intorno a 130-140mA, un po' sopra al valore atteso di circa 100mA) ho osservato:
- Canali N (IRFD110): Vds ~ 3,87V
- Canali P (IRFD9110): Vds ~ 4,21V
Con gli strumenti che ho non riesco ad apprezzare differenze all'interno dei lotti di (12 per tipo) mosfet che ho.
Però la differenza tra P e N? In teoria mi aspetto che 110 e 9110 siano corrispondenti, e i datasheet sembrano confermarlo...
il circuitino di test riflette in qualche modo le condizioni operative dei due mosfet all'interno del finalino?
sennò, potrebbe valer la pena di adattarlo in questo senso..o di usare direttamente il finalino vero e proprio..il progettista fornisce dei valori di polarizzazione di riferimento?
le coppie complementari di FET sono intrinsecamente meno "complementari" di quanto potrebbero fare i complementari BJT, è una questione fisica (ma non ne so molto d+ Embarassed)

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Re: Matching mosfet in push pull

Messaggio  HistoireDuSoldat il Ven 11 Giu 2010 - 17:34

@madqwerty ha scritto:
il circuitino di test riflette in qualche modo le condizioni operative dei due mosfet all'interno del finalino?
No, il circuitino di test serve di fatto solo misurare la Vds per Vgd=0, una grandezza che in vari contesti viene ritenuta "discriminante" tra componenti costruttivamente identici. Il limite è quello che dici tu, e probabilmente nella fattispecie la misura diventa comunque poco significativa perché la polarizzazione è troppo diversa da quella finale.
Se fosse stato uno schema push-pull con i poli "comuni" dei due mosfet messi a ground secondo me lo schemino di test aveva senso.

@madqwerty ha scritto:sennò, potrebbe valer la pena di adattarlo in questo senso..o di usare direttamente il finalino vero e proprio...
Così farò difatti, valutando contestualmente la reale entità della dissipazione termica richiesta.

@madqwerty ha scritto:il progettista fornisce dei valori di polarizzazione di riferimento?
Purtroppo no, la questione matching non viene da lui sollevata, può darsi che in questi regimi di funzionamento questa tematica non sia così rilevante: sembra infatti che sia così, dal momento che l'influenza della temperatura è sperimentalmente di gran lunga più significativa, almeno per la sensibilità del mio tester cioè un centesimo di Volt.
Io facevo per capire qualcosa di più, come al solito, sporcandosi le mani... va be, tutto fa brodo.

@madqwerty ha scritto:le coppie complementari di FET sono intrinsecamente meno "complementari" di quanto potrebbero fare i complementari BJT, è una questione fisica (ma non ne so molto d+ Embarassed)
Così pare. Sostanzialmente nel datasheet le uniche differenze significative riguardano "guarda caso" il Diode Forward Voltage tra drain a source...

Grazie Ok
Se poi qualcuno c'è qualcuno che ne sa di più... batta un colpo Wink

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